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KRI 离子源可用于辅助镀膜技术 IAC

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-12-15 13:55:42    浏览次数:30
导读

镀膜技术IAC是利用沉积原子和轰击离子之间一系列的物理化学作用,可在常温下合成各种优质薄膜.其关键技术是离子源、靶室和工艺参数的控制.离子源离子源是产生所需离子的关键部件,它的种类与质量决定着制备膜层的性能和质量. KRI考夫曼离子源,它能产生气体元素的大面积离子束,适合用于离子束溅射镀膜、对膜层进行离子束轰击以

镀膜技术 IAC 利用沉积原子和轰击离子之间一系列的物理化学作用可在常温下合成各种优质薄膜其关键技术是离子源、靶室和工艺参数的控制.
离子源

离子源是产生所需离子的关键部件它的种类与质量决定着制备膜层的性能和质量. KRI 考夫曼离子源它能产生气体元素的大面积离子束适合用于离子束溅射镀膜、对膜层进行离子束轰击以及对工件进行离子束表面清洗.

伯东为客户提供栅极离子源和无栅离子源客户可根据自己的工艺需求选择不同的离子源.

伯东 KRI 离子源有:
KRI 射频离子源 RFICP 系列 RFICP 380RFICP 220RFICP 140 RFICP 100 RFICP 40
KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列 KDC 160KDC 100KDC 75KDC 40KDC 10
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000eH 2000eH 1000eH 400eH Linear

靶室
靶室是装载工件进行离子束表面处理的部件它的容积大小、靶的工件夹具机构及其运动方式随工件种类的不同差异很大.

工艺参数控制
精确控制工艺参数保证工件表面的沉积原子数与轰击原子数达到一定的比例对膜层的性能和质量至关重要.

KRI 离子源在创新设计产品质量和技术专长方面享誉全球这些离子源可输出高质量和稳定的离子束通过控制器可以实现精确控制以提供确定的形状电流密度和离子能量.
KRI 离子源控制器

实际应用证明离子源用在镀膜技术 IAC可制备出结合力很强的具有各种特殊的膜层ZrNZrCBNTiO2和类金刚石碳膜等.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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(文/小编)
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