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hakuto离子刻蚀机10IBE 刻蚀衍射光学元件提高均匀度

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-12-18 15:35:26    浏览次数:17
导读

Ф8 X 1wfr样品台离子源±5% for 4”Ф20 nm/min温度Hakuto离子刻蚀机10IBE离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的KRI考夫曼公司的考夫曼离子源KDC 160离子源KDC 160Discharge离子束流100-1200 V16 cm Φ离子束流量Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2,其他 0.5m Torr中和器上海伯东:罗先生台湾伯东:王小姐T: +86-21-5046-1322T:

北京某实验室采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE刻蚀衍射光学元件.


Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

基板尺寸

< Ф8 X 1wfr

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

16cm 考夫曼离子源

均匀性

±5% for 4”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数:

离子源型号

离子源 KDC 160

Discharge

DC 热离子

离子束流

>650 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

16 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

2-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

中和器

灯丝

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀可提高衍射光学元件表面的均匀性.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn
 www.hakuto-vacuum.com.tw

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(文/小编)
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