某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
真空腔 1 set, 主体不锈钢,水冷
基片尺寸 1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,
离子源 ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75
离子束入射角 0 Degree～± 90 Degree
极限真空 ≦1x10-4 Pa
刻蚀性能 一致性: ≤±5% across 4”
该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
离子源型号 离子源 KDC 75
Discharge DC 热离子
离子束流 >250 mA
离子动能 100-1200 V
栅极直径 7.5 cm Φ
离子束 聚焦, 平行, 散射
流量 2-15 sccm
通气 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力 < 0.5m Torr
长度 20.1 cm
直径 14 cm
中和器 灯丝
无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（Passivation, metal, IDL）可一层一层去除, 也就是芯片去层（Delayer）, 通过层次去除（Delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构.
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