GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR（Magneto Resisive）磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度.
某硬盘磁头制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘磁头镀制GMR磁头导电材料和磁性材料薄膜构.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
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Φ4 inch X 12片 |
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基片尺寸 |
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Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
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均匀性 |
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±5% |
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硅片刻蚀率 |
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20 nm/min |
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样品台 |
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直接冷却,水冷 |
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离子源 |
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Φ20cm 考夫曼离子源 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号 |
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RFICP 220 |
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Discharge |
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RFICP 射频 |
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离子束流 |
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>800 mA |
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离子动能 |
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100-1200 V |
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栅极直径 |
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20 cm Φ |
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离子束 |
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聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
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10-40 sccm |
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通气 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
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< 0.5m Torr |
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长度 |
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30 cm |
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直径 |
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41 cm |
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中和器 |
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LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.
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