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离子刻蚀机 10IBE 用于多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-12-11 15:10:42    浏览次数:17
导读

南京某材料科学学院结合纳米球掩膜与立柱刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅利用离子刻蚀机去除由荷能离子撞击所带来的损失层优化了多晶黑硅结构Hakuto离子蚀刻机10IBE:样品台直接冷却(水冷)度旋转离子源16cm考夫曼离子源温度100Hakuto10IBEKRI考夫曼离子源KDC 160伯东美国技术参数:DischargeDC离子动能100-1200

南京某材料科学学院结合 SiO2 纳米球掩膜与立柱刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅利用 hakuto 离子刻蚀机 10IBE 去除由荷能离子撞击所带来的损失层优化了多晶黑硅结构.


Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

基板尺寸

< Ф8 X 1wfr

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

16cm 考夫曼离子源

均匀性

±5% for 4”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100


Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源KDC 160

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数:

 离子源型号

离子源 KDC 160

Discharge

DC 热离子

离子束流

>650 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

16 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

2-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

中和器

灯丝

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 可以去除损伤层保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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(文/小编)
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