四川某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片上原位沉积 MnZn 铁氧体薄膜, 用以研究 MnZn 铁氧体薄膜的低温晶化、取向生长等问题.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
| portant;">
离子源型号 |
portant;">
RFICP220 |
| portant;">
Discharge |
portant;">
RFICP 射频 |
| portant;">
离子束流 |
portant;">
>800 mA |
| portant;">
离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
| portant;">
栅极直径 |
portant;">
20 cm Φ |
| portant;">
离子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
| portant;">
流量 |
portant;">
10-40 sccm |
| portant;">
通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| portant;">
典型压力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
| portant;">
长度 |
portant;">
30 cm |
| portant;">
直径 |
portant;">
41 cm |
| portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
试验中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积的方法获得均匀致密、大面积的 MnZn 铁氧体薄膜, 沉积过程中通过调节参数, 从而改变薄膜厚度、晶粒尺寸, 得到多种规格的高性能的 MnZn 铁氧体薄膜材料, 满足各种试验需求.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究!
