KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
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射频离子源型号 |
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RFICP380 |
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Discharge 阳极 |
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射频 RFICP |
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离子束流 |
portant;">
>1500 mA |
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离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
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栅极直径 |
portant;">
30 cm Φ |
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离子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
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15-50 sccm |
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通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
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< 0.5m Torr |
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长度 |
portant;">
39 cm |
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直径 |
portant;">
59 cm |
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中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
研究利用金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、胶带粘附性剥离等方法测定了沉积 ZrB2 涂层的厚度、形貌、物相结构、成分、附着力以及沉积速率等性能参数, 研究了各溅射工艺条件如芯块表面清洁度、溅射气体压力、溅射功率密度和转鼓转速对ZrB 涂层沉积率和附着力的影响.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
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